日本東京首都大學(xué)的教授清水敏久(研討生院理工學(xué)研討科電氣電子工學(xué)專業(yè))認為：鐵氧體黑磁“電力電子器件僅靠SiC和GaN無法進化”。清水教授介紹說，在以前40多年中，電力電子產(chǎn)品的功率密度一貫是以每15年前進10倍的速度前進?？墒?，如今快要抵達功率密度前進的技術(shù)極限了。

這兒所說的功率密度是指電力電子設(shè)備的輸出功率除以其體積得到的數(shù)值。清水教授指出，盡管功率半導(dǎo)體的功率在逐年前進，SiC及GaN等新式半導(dǎo)體逐步投入使用，但仍有技術(shù)極限，這是因為“(其他部件的)體積占分配方位”。以輸出功率為10kW的最新式電力電子設(shè)備(變頻器)為例，在整個產(chǎn)品中，功率半導(dǎo)體的體積不逾越15%傳感器磁鐵，噪聲濾波器和滑潤電容器各占30%，高頻變壓器占25%。功率半導(dǎo)體以外的部件的展開才華有用前進產(chǎn)品的功率密度。

鑒于這種情況，清水教授側(cè)重，往后要想前進電力電子設(shè)備的功率密度，關(guān)鍵是推動支持著功率半導(dǎo)體的受動元件的展開(圖2)。他認為，受動元件中分外重要的是變壓器和濾波器等磁性器件。


作者：東陽市卓越電磁材料廠
關(guān)鍵詞：傳感器磁鐵，鐵氧體黑磁